Практически все пользователи хотят добиться наибольшего быстродействия своего персонального компьютера. Неплохой способ улучшить скорость работы ПК – разогнать оперативную память. Это делается с помощью настроек BIOS вашей материнской платы. Правильный разгон имеет несколько тонкостей, и они описаны в данной статье. Далее вы узнаете, как можно разогнать свою оперативную память, как узнать результаты разгона и как определить оптимальные параметры.
Подготовка к работе
«У меня есть новая оперативная память – как узнать, что делать дальше, чтоб увеличить ее частоту?» — обычно спрашивают пользователи. Установка планок оперативки в соответствующие слоты компьютера является довольно простым делом и в данной статье не рассматривается. После того, как вы подключите – RAM заработает на минимальной скорости. Производители стараются настраивать все так, чтобы оно работало максимально надежно.
Любое повышение скорости работы компьютера – это одновременно и снижение стабильности. Правильно разогнать память — значит опытным путем определить оптимальную частоту и тайминги.
Если вам не хочется экспериментировать – можно узнать, какая сборка будет оптимальной, на тематических форумах или в специальных статьях.
Для того чтобы искать на форуме нужную информацию, необходимо узнать ответы на следующие вопросы:
- Какая у меня оперативная память?
- Что у меня за процессор?
- Какая меня установлена материнская плата?
Только после этого опытные пользователи смогут узнать оптимальные для вас конфигурации. Установленный процессор очень сильно влияет на частоту оперативки, а разные материнки могут выдавать разные показатели стабильности работы при одних и тех же настройках.
Настройки BIOS
Для того чтобы разогнать тактовую частоту каких-либо комплектующих компьютера, пользователям нужно зайти в меню конфигураций БИОС. Для этого выполните несколько простых действий, описанных в данной инструкции:
Проверка и повторная настройка
Если после попытки разогнать ПК он не запускается – значит, вы установили сильно высокие показатели. В этом случае необходимо замкнуть металлическим предметом специальный контакт Clear CMOS (JBAT), расположенный недалеко от слотов оперативной памяти, чтобы сбросить настройки. В этом случае задайте немного более приближенные к исходному профилю варианты. 
После загрузки Windows пользователям потребуется провести несколько тестов на стабильность работы компьютера. Это можно сделать с помощью бенчмарков, например, в программах Everest или AIDA64. Также попробуйте запустить наиболее требовательные видеоигры и поиграть в них несколько часов. Если никаких ошибок не возникает – значит данная сборка стабильна и можно пробовать разогнать еще. 
Оперативная память не менее важна для быстродействия компьютера, чем центральный процессор и видеокарта. И если мы уже разобрались с разгоном процессора, то почему бы нам не раскрыть вопрос, как разогнать оперативную память на компьютере? Думаю, этот вопрос не менее актуален. Однако здравствуйте!
Конечно же, вам нужны будут небольшие познания работы с BIOS, но страшного в этом ничего нет, особенно, если вы уже пробовали . А вот можно и не заходя в БИОС, достаточно воспользоваться бесплатной программой MSI Afterburner, но сегодня не об этом.
Ну что же, думаю самое время приступить к делу. Закатите рукава повыше и подвиньте клавиатуру поближе.
Прежде чем разогнать ОЗУ
По идее, что бы вы ни сделали с вашей оперативной памятью в ходе экспериментирования и разгона, вы не сможете ей никак навредить. Если настройки будут критическими, то компьютер попросту не включится или автоматически сбросит настройки на оптимальные.
Однако не стоит забывать и о том, что любое повышение производительности оперативной памяти снижает срок ее жизни. Да, так и в жизни, бодибилдеры не бывают долгожителями.
Очень важно понимать также, что разгон оперативной памяти компьютера это не просто увеличение ее тактовой частоты! Вам придется провести множественные эксперименты по настройке и тонкой подстройке таких параметров, как тактовая частота, напряжение и тайминги задержки. Если вы увеличиваете частоту, то тайминги придется тоже увеличивать, но ОЗУ, как известно, работает тем быстрее, чем ниже эти тайминги задержки. Палка о двух концах.
Именно поэтому, разгоняя оперативную память, подобрать оптимальные настройки получится далеко не с первого раза. Хотя, если у вас ОЗУ какого-то именитого бренда, то скорее всего данную модель оперативной памяти уже кто-то пробовал разгонять и, вполне вероятно, выложил полезную информацию где-нибудь в интернете на специализированных форумах. Нужно только поискать немного.
Учтите еще, что если даже вы нашли на каком-то форуме оптимальные параметры для разгона именно вашей оперативной памяти, то это совсем не означает, что в вашем случае эти параметры также окажутся оптимальными и максимально производительными. Очень многое зависит от связки ЦП-Мать-ОЗУ . Поэтому, если вы хотите сразу оптимальные параметры для разгона ОЗУ, то вам будет полезно иметь на вооружении некоторую информацию о вашем компьютере. Постарайтесь ответить на вопросы:
- Какая у меня оперативная память ? Производитель и модель. А если память из бюджетного класса, то просто нужно знать , частоту, тайминги задержки.
- Какой у меня процессор ? Модель, частота, размер кэш памяти 2-го и 3-го уровня.
- Какая у меня материнская плата ? И на ней?
Ответив на эти вопросы, смело отправляйтесь на форумы и ищите связки, похожие с вашей. Но опять же повторюсь, лучше всего провести эксперименты и выяснить, какие настройки и параметры будут оптимальными именно для вашей системы.
Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС
В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.
Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.
Разгон ОЗУ в биосе Award
Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award , нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1 , чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.
Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M. I. T.) . Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier . Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.
Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.
Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.
После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features . Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual , то есть на ручную настройку.
Разгон ОЗУ в биосе UEFI
Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.
Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M. I. T. и заходите там в «Расширенные настройки частот ». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти .
Потом заходите в «Расширенные настройки памяти ». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.
Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.
Правильный разгон оперативной памяти (формула)
Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.
Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.
Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.
Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:
DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V
2133 / 12 = 177.75DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
2400 / 14 = 171.428DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
2666 / 15 = 177.7(3)
Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.
Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ
После каждой подстройки оперативной памяти в биосе (то есть после разгона) сохраняйте настройки биоса и запускайте систему. Если система запустилась, это уже хорошо, если нет – компьютер перезагрузится с заводскими настройками. А если компьютер совсем не включается, то настройки можно сбросить вручную, замкнув на материнской плате контакт Clear CMOS (JBAT1) любым металлическим предметом или перемычкой.
После этого вам нужно будет проверить систему на стабильность , запустив один из специальных тестов (например, в AIDA64 или Everest) или запустив игру, которая может хорошенько нагрузить систему. Если компьютер не выключается, не перезагружается, не выдает ошибку, не зависает и не появляется синий экран смерти, значит, эти настройки разгона оперативной памяти вам подошли.
Отсеивайте те комбинации настроек, при которых компьютер работает нестабильно. А те, которые работают стабильно, проверяйте на производительность и сравнивайте.
Можно использовать многочисленные бенчмарки (в том числе встроенными в AIDA64 или Everest) и проверять с какими настройками сколько баллов наберет ваша система. А можно использовать старый добрый архиватор. Создайте папку для теста, накидайте в нее всякого хлама (файлы среднего и маленького размера) и заархивируйте ее архиватором. При этом засеките, сколько времени на это уйдет. Победит, конечно же, та настройка, при которой архиватор справится с тестовой папкой максимально быстро.
Тестирование моей оперативной памяти в бенчмарке Everest’a
Резюме:
Чем же можно резюмировать эту статью. Первое, что я хочу вам сказать – разгон оперативной памяти – это не так уж и просто . И, если вы прочитали даже 20 статей на эту тему – это еще не означает, что вы знаете, как разогнать оперативную память .
Второе – разгон оперативной памяти не повысит производительность вашей системы так же сильно, как , если только вы не обладатель процессора AMD Ryzen. В случае с этой линейкой процессоров от компании AMD, скорость оперативной памяти очень сильно влияет на быстродействие процессора. Это обусловлено принципиально новой архитектурой процессора, в которой кэш память процессора оказалась слабым звеном.
ОЗУ не самая дорогая вещь в компьютере. Вот и подумайте, может быть вам лучше не разгонять, а просто ?
В любом случае, удачи вам в экспериментах и делитесь своими результатами, нам тоже интересно!
Вы дочитали до самого конца?
Была ли эта статься полезной?
Да Нет
Что именно вам не понравилось? Статья была неполной или неправдивой?
Напишите в клмментариях и мы обещаем исправиться!
Выход более доступной платформы Nehalem — LGA1156 — ознаменовал полный отказ Intel от использования шины FSB в качестве связующего звена между процессором и чипсетом, а интеграция контроллера памяти DDR3 дала возможность передавать данные из памяти напрямую в CPU. Но и на этом инженеры компании не остановились, перенеся контроллер шины PCI Express на кристалл процессора, что дало возможность полностью отказаться от двухчиповой компоновки набора системной логики. Разводка материнских плат стала проще и дешевле, но из-за отсутствия доступных моделей CPU с разъемом LGA1156 новую платформу пока экономически целесообразной не назовешь.
С появлением очередного чипсета, а теперь и процессора, тема разгона памяти на платформе Intel не теряет своей актуальности, так как позволяет иногда повысить быстродействие системы и сэкономить на покупке модулей DIMM. В недавнем материале , посвященном нюансам разгона этого компонента системы с процессорами LGA1366 (ядро Bloomfield), мы уже освещали проблемы, с которыми может столкнуться пользователь, если захочет использовать высокочастотные планки. Как оказалось, для работы памяти на частоте свыше 1800 МГц необходимо поднимать напряжение на контроллере памяти до 1,4~1,6 В, а то и выше, что влечет за собой сильный нагрев CPU. Да и не каждый процессор может функционировать в таком режиме, так как с повышением частоты модулей растет частота кэша третьего уровня и контроллера памяти, которая должна превышать значения памяти в два раза. Отчасти эта проблема решилась с переходом процессоров серии Core i7-900 на новый степпинг D0, и обладателям таких CPU стало проще достигать 2000 МГц при разгоне памяти.
Теперь давайте посмотрим, что изменилось с переходом на более доступную платформу LGA1156 (ядро Lynnfield). Как и ранее, частоты большинства узлов системы (процессор, контроллер памяти и кэш третьего уровня, называемые блоком Uncore, шина QPI и память) получаются за счет перемножения определенных коэффициентов на базовую частоту (на блок-схеме множители xM1, xM2, xM3 и xM4), равную в номинале 133 МГц.
Но данные между процессором и чипсетом теперь передаются по шине DMI (знакомая еще с семейства наборов системной логики Intel 915/925), а интерфейс QPI, используемый для этой цели в процессорах Bloomfield, применяется уже для связи между интегрированным контроллером PCI Express и самим CPU. Контроллер памяти лишился одного канала, став 128-битным, и за счет снижения нагрузки на этот блок его частота зафиксирована на одном значении (множитель х18 для серии процессоров Core i7-800 и х16 для Core i5-700), а не так, как было ранее в решениях LGA1366. Свободы по выбору множителя шины QPI у пользователя стало больше, и теперь он может установить либо х18, либо х16 (напомним, что в процессорах Core i7-9xxx не «экстремальных» версий коэффициент умножения был зафиксирован на х18, а у моделей EE равнялся х18, х20 и х24). С памятью стало немного интереснее — максимально доступный множитель равен х12 для Core i7-8xx и x10 для Core i5-7xx, тогда как у CPU с разъемом LGA1366 он x16. Получается, что для старших процессоров новой платформы в стандартном режиме работы будет доступна лишь память DDR3-1600, а для младших — DDR3-1333. Максимальное напряжение питания модулей осталось на прежнем уровне и составляет 1,65 В.
Для большей наглядности все коэффициенты умножения доступных на данный момент моделей процессоров на базе ядра Lynnfield приведены в следующей таблице:
| Модель | Частота, ГГц | Множитель CPU | Множитель Uncore | Множитель памяти* | Множитель QPI |
| Core i7-870 | 2,93 | x9-x22 | x18 | x6, x8, x10, x12 | x16, x18 |
| Core i7-860 | 2,8 | x9-x21 | x18 | x6, x8, x10, x12 | x16, x18 |
| Core i5-750 | 2,66 | x9-x20 | x16 | x6, x8, x10 | x16, x18 |
Как видите, проблем при разгоне памяти до уровня 2000-2200 МГц (а то и выше) на процессорах новой линейки Core i7 нет. Сдерживающий фактор в виде высокой частоты блока Uncore более не проявляется, так как контроллер памяти будет функционировать на 3,0-3,3 ГГц, в отличие от 4,0-4,4 ГГц для таких режимов DDR3 на процессорах Bloomfield. Кроме того, для стабильной работы Uncore на таких частотах памяти достаточно поднять напряжение питания до уровня 1,3-1,4 В с номинальных 1,1 В, а это куда меньше тех значений, необходимых для Core i7-9xx. Не зря производители системных плат афишируют возможность работы их продуктов на базе чипсета Intel P55 Express с модулями DDR3-2133. Только CPU младшей линейки Core i5 будут ограничены частотой планок чуть более 2000 МГц, так как коэффициент умножения для памяти в них равен х10, а не всегда связка «процессор+плата» на P55 способны покорить свыше 205-210 МГц по Bclk.
Итак, осталось закрепить наш теоретический материал на практике, для чего мы использовали два комплекта памяти DDR3-1600 от компании GeIL, плату на базе P55 — ASUS Maximus III Formula и процессор Intel Xeon X3470.
GeIL GU34GB1600C7DC (2x2GB, PC3-12800, CL7-7-7-24)
Компания GeIL (Golden Emperor International Ltd.) была основана в 1993 году, но популярной среди энтузиастов стала вначале 2000-х, когда выпустила серию памяти Golden Dragon, отличающуюся бескорпусными микросхемами памяти со стеклокерамической упаковкой. Далее эксперименты компании продолжились не только с внешним видом, но и с системами охлаждения и характеристиками модулей. Например, она оснащала память никелированными радиаторами с наклейками-термометрами, которые показывали достижение определённой температуры, первой в свое время выпускала высокочастотные модули и даже была одной из пионеров, кто представил комплекты памяти объемом 8 ГБ. Сейчас продукция компании делится фактически на три линейки: Gaming, Ultra и Value. Первая предназначена для геймеров и отличается эффектным внешним видом (правда, непонятно, что там такого геймерского), вторая рассчитана на оверклокеров и энтузиастов благодаря своему потенциалу, а последняя уже для не особо требовательных пользователей. К Value, пожалуй, можно также отнести экономичную серию Green, призванную сберечь «миллионы акров лесных массивов, используемых для выработки электричества».
Для начала мы рассмотрим набор GeIL GU34GB1600C7DC, который относится к серии Ultra. Комплект поставляется в небольшой коробке с изображением спортивного мотоцикла.
Упаковка универсальная для всей серии памяти, поэтому на обратной стороне отмечены основные характеристики набора из общего списка. Для ознакомления с более детальной информацией есть окошки, через которые можно увидеть бирки каждого модуля.
Для большей защиты от повреждения, планки дополнительно уложены в блистер.
Сами модули внешне ничем не отличаются от обычных решений других производителей. Ни тебе радиаторов с хитросплетенными ребрами, ни системы охлаждения с тепловыми трубками. Самые обычные планки с самым простым охлаждением. Может, только GeIL и поняла, что все эти небоскребы СО никому из энтузиастов не нужны?
Алюминиевые половинки радиатора синеватого цвета приклеены «термолипучкой» к чипам памяти и дополнительно скреплены своеобразным замком, не позволяющим хитспридерам отходить от микросхем по краям планок. Часто радиаторы без зажимов или такой особенности отклеиваются от первых одного-двух чипов, а то и вовсе отпадают от модулей. У GeIL с этим пока все в порядке.
Характеристики модулей полностью расписаны на этикетках: 2 ГБ каждая планка, частота 1600 МГц (или ПСП 12800 МБ/с), тайминги 7-7-7-24 при рабочем напряжении 1,6 В. Довольно-таки информативно, в отличие от «шифро-кодов», которые используют крупные производители памяти.
В SPD модулей прописано два набора стандартных задержек 7-7-7-24 и 8-8-8-28 для частот 1333 и 1522 МГц соответственно, и один профиль XMP с номинальными значениями.
Если плата не поддерживает технологию X.M.P., то все параметры работы памяти, естественно, придется выставить в ручную.
GeIL GV34GB1600C9DC (2x2GB, PC3-12800, CL9-9-9-28)
Следующий комплект уже относится к серии Value и поставляется не в такой яркой упаковке, хотя дизайн ее остался прежним.
На обратной стороне также есть вырезы, где видны этикетки модулей, но характеристики набора уже указаны на отдельной наклейке.
Цвет радиаторов изменился на коричневый — единственное, чем отличаются обе серии, рассматриваемые в этом материале.
Рабочая частота планок осталась прежней, но тайминги теперь менее агрессивные. Да и напряжение питания стало меньше и равняется стандартным для памяти DDR3 1,5 вольтам.
Зато наборов задержек и частот в SPD увеличилось: 7-7-7-20 для 1066 МГц, 8-8-8-22 для 1218 МГц, 9-9-9-25 для 1370 МГц и 10-10-10-28 для 1522 МГц.
Профиля XMP нет и все придется выставлять уже самому, что вряд ли сделает большинство пользователей.
Тестовая конфигурация и методика разгона
Память разгонялась на следующей конфигурации:
- Процессор: Intel Xeon X3470 (2,93 ГГц);
- Материнская плата: ASUS Maximus III Formula (Intel P55 Express);
- Видеокарта: ASUS EAH4890/HTDI/1GD5/A (Radeon HD 4890);
- Кулер: Noctua NH-U12P;
- Жёсткий диск: Samsung SP2504C (250 ГБ, SATA2);
- Блок питания: Seasonic SS-600HM (600 Вт).
Соотношение базовой частоты, множителя памяти и процессора в BIOS Setup материнской платы выставлялись следующим образом: коэффициент умножения CPU был х19, шины QPI — x16, памяти всегда был x12 или х10, а частота Bclk была в пределах 133-180 МГц. Напряжение питания контроллера памяти выставлялось на уровне 1,325 В, при необходимости поднималось выше этого значения. Напряжение питания памяти равнялось 1,65 В, процессора — 1,3 В. Остальные настройки BIOS не влияли на уровень разгона и оставались в значении Auto.
Разгонный потенциал выяснялся для трех наборов таймингов, актуальных для памяти DDR3: 7-7-7-21, 8-8-8-24 и 9-9-9-27 с Command Rate 1T. Второстепенные задержки оставались в значении Auto.
Результаты разгона
Итак, комплект памяти GeIL GU34GB1600C7DC при таймингах 7-7-7-21 смог стабильно функционировать на частоте 1680 МГц, что не так уж и много. Частота базовой в таком режиме равнялась 140 МГц, множитель на памяти составлял х12. Ослабление задержек до уровня 8-8-8-24 уже позволило пройти тесты на 1920 МГц (Bclk 160 МГц), а это уже куда интереснее. С выставлением таймингов 9-9-9-27 и поднятием напряжения питания на контроллере памяти до 1,351 В без каких-либо проблем модули работали на частоте 2160 МГц (базовая 180 МГц) — результат можно назвать превосходным.
Увы, но комплект GeIL GV34GB1600C9DC из простой серии продемонстрировал низкий разгонный потенциал. При задержках 7-7-7-21 из памяти удалось выжать лишь 1380 МГц. Частота Bclk равнялась 140 МГц, коэффициент умножения памяти был х10. Увеличение задержек до 8-8-8-24 отодвинуло планку почти на 200 МГц (базовая 157 МГц), а с 9-9-9-27 уже переделом стали 1764 МГц, при этом Bclk равнялся 147 МГц, множитель памяти — х12.
Производительность
Теперь осталось посмотреть на разницу в производительности при переходе на высокочастотную память. Из-за отсутствия множителя большего чем х12 тестирование, естественно, будет проходить в режиме оверклокинга. Добавим сюда еще несколько комбинаций «Bclk+множитель памяти» и получим при практически одной и той же частоте модулей различную частоту Uncore. В итоге у нас было следующее количество конфигураций памяти и остальных узлов системы:
- 2160 МГц, 9-9-9-27, CPU 3430 МГц, Uncore 3250 МГц (Bclk 180 МГц);
- 1936 МГц, 8-8-8-24, CPU 3389 МГц, Uncore 2905 МГц (Bclk 161 МГц);
- 1910 МГц, 8-8-8-24, CPU 3444 МГц, Uncore 3444 МГц (Bclk 191 МГц);
- 1630 МГц, 7-7-7-21, CPU 3430 МГц, Uncore 2934 МГц (Bclk 163 МГц);
- 1620 МГц, 7-7-7-21, CPU 3445 МГц, Uncore 3648 МГц (Bclk 202 МГц).
| 2160 МГц, 9-9-9-27, CPU 3430 МГц, Uncore 3250 МГц (Bclk 180 МГц) | 1936 МГц, 8-8-8-24, CPU 3389 МГц, Uncore 2905 МГц (Bclk 161 МГц) | 1910 МГц, 8-8-8-24, CPU 3444 МГц, Uncore 3444 МГц (Bclk 191 МГц) | 1630 МГц, 7-7-7-21, CPU 3430 МГц, Uncore 2934 МГц (Bclk 163 МГц) | 1620 МГц, 7-7-7-21, CPU 3445 МГц, Uncore 3648 МГц (Bclk 202 МГц) | |
| Everest/Read, MB/s | 18329 | 17653 | 19176 | 16010 | 18294 |
| Everest/Write, MB/s | 14195 | 12788 | 14874 | 12929 | 15198 |
| Everest/Copy, MB/s | 19629 | 17947 | 20151 | 18276 | 19121 |
| Everest/Latency, ns | 38,1 | 40,1 | 37,9 | 42,6 | 39,9 |
| Cinebench 10/1CPU, score | 4899 | 4815 | 4934 | 4861 | 4930 |
| Cinebench 10/xCPU, score | 17761 | 17024 | 17640 | 17270 | 17617 |
| Cinebench 10/OpenGL, score | 10059 | 9868 | 10243 | 9992 | 10222 |
| Fritz Chess Benchmark, KNPS | 10239 | 10095 | 10243 | 10198 | 10238 |
| wPrime/32M, s | 9,516 | 9,688 | 9,469 | 9,518 | 9,451 |
| wPrime/1024M, s | 309,73 | 305,267 | 300,705 | 307,522 | 300,283 |
| 3DMark Vantage, score | 11509 | 11516 | 11533 | 11503 | 11533 |
| 3DMark Vantage/GPU, score | 10533 | 10562 | 10543 | 10534 | 10553 |
| 3DMark Vantage/CPU, score | 15942 | 15798 | 16055 | 15884 | 15989 |
| Crysis/1680x1050/High, average fps (min fps) | 49,82 (32,76) | 49,69 (35,71) | 49,92 (35,48) | 49,69 (35,88) | 49,94 (35,39) |
Судя по результатам, оптимальным вариантом является использование контроллера памяти и кэша третьего уровня при частоте свыше 3 ГГц, когда блок Uncore успевает обрабатывать данные, поступающие непосредственно из памяти. При частоте ниже этого значения падение производительности может достигать 15-20%. Правда, в узкоспециализированных тестах — в реальных приложениях разница куда меньше. Что касается режимов работы памяти, то самым эффективным оказался с частотой 1910 МГц. Для DDR3-2133 (а в нашем случае даже 2160 МГц) перспектива крайне не радужная — результаты при использовании такой памяти не сильно отличаются от обычных 1600-мегагерцовых планок! Кто там еще хочет купить высокочастотные модули? Очередной развод индустрии высоких технологий во всей красе...
Выводы
С переходом на двухканальный контроллер памяти в процессорах архитектуры Nehalem требования к блоку Uncore уменьшились и теперь модули без проблем могут работать на частоте свыше 2000 МГц. Разгон данного компонента системы стал проще и не требует подбора особого экземпляра процессора, который смог бы работать с памятью на такой частоте, как это было с моделями серии Core i7-900. Вот только эффект от использования комплектов DDR3-2133 или при разгоне до такой частоты пользователь вряд ли заметит. И, как и ранее, подобный режим работы необходим лишь для экстремального оверклокинга, не более того. Большенству энтузиастов проще ограничится разгоном до 1900 МГц (или режимом работы высокочастотных модулей на таком уровне) с повышение частоты контроллера памяти свыше 3 ГГц.
Набор памяти GeIL GU34GB1600C7DC порадовал своим потенциалом, ведь он смог со своих стандартных 1600 МГц разогнаться до 2160 МГц, а это очень даже неплохо. Радует также, что компания GeIL не стала городить сложные системы охлаждения, которые кроме увеличения высоты модулей ничего не дают.
Комплект GeIL GV34GB1600C9DC рассчитан на нетребовательных пользователей и вряд ли от него стоило чего-то ожидать, что и подтверждает слабый разгон. Пожалуй, приверженцы этой марки и желающие сэкономить, но при этом не требущие запредельных характеристик от памяти, будут довольны.
Благодарим следующие компании за предоставленное тестовое оборудование:
Не все знают, что оперативную память недостаточно просто установить в компьютер. Её полезно настроить, разогнать. Иначе она будет давать минимально заложенную в параметры эффективность. Здесь важно учесть, сколько планок установить, каким образом распределять их по слотам, как проставить параметры в БИОСе. Ниже вы найдёте советы по установке RAM, узнаете, как правильно установить, настроить и .
Первый вопрос, возникающий при желании повысить производительность, быстродействие ОЗУ у пользователей, - возможно ли установить в компьютер модули памяти разного производства, отличающиеся частотой? Решая, как установить оперативную память в компьютер, приобретайте лучше модули одного производства, с одной частотностью.
Теоретически, если установить модули разночастотные, оперативная память работает, но на характеристиках самого медленного модуля. Практика же показывает, что зачастую возникают проблемы несовместимости: не включается ПК , происходят сбои ОС.
Следовательно, при планах установить несколько планок покупайте набор в 2 либо 4 модуля. В одинаковых планках чипы обладают одинаковыми параметрами разгонного потенциала.
Полезность многоканального режима
Современный компьютер поддерживает многоканальность в работе оперативной памяти , минимально оборудованы 2 канала. Есть процессорные платформы с трёхканальным режимом, есть с восемью слотами памяти для четырёхканального режима.
При включении двухканального режима прибавляется 5–10% производительности процессору, графическому же ускорителю - до 50%. Потому при сборке даже недорогого игрового устройства рекомендуется установка минимум двух модулей памяти.
Если подключаете два модуля ОЗУ, а плата, установленная в компьютер, снабжена 4 слотами DIMM, соблюдайте очерёдность установки. Для включения двухканального режима ставьте в компьютер модули, чередуя разъёмы платы через один, т. е. поставьте в 1 и 3 либо задействуйте разъёмы 2 и 4. Чаще удобен второй вариант, ведь нередко первый слот для ОЗУ перекрывается кулером процессора. Если радиаторы низкопрофильные, подобной проблемы не возникнет.
Проконтролировать, подключился ли двухканальный режим, сможете через приложение AIDA64. Пройдите в нём в пункт «Тест кэша и памяти». Утилита поможет вам также просчитать быстродействие RAM до разгона, понаблюдать, как изменилась память, её характеристики после процедуры разгона.
Настройка частоты, таймингов
Для разгона ОЗУ, нужно знать, как . Когда только поставите ОЗУ в компьютер, оперативка будет работать, скорее всего, на минимально возможной частоте, имеющейся в техпараметрах процессора. Максимальную частоту нужно установить, настроить через BIOS материнки, можно вручную, для ускорения существует технология Intel XMP, поддерживаемая практически всеми платами, даже AMD.
Когда поставите вручную 2400 МГц, память станет функционировать на стандартных таймингах для этой частоты, которые составляют 11-14-14-33. Но модули HyperX Savage справляются со стабильной работой при меньших таймингах на высокой частоте в 2400 МГц, такое соотношение (низкие тайминги с высокой частотностью) являются гарантией высокого быстродействия ОЗУ.
Полезная технология, разработанная корпорацией Intel - Extreme Memory Profile - позволяет избежать ручного проставления каждого тайминга, в два клика выбираете оптимальный профиль из приготовленных производителем.
Разгон памяти
Мы выше говорили, что установить, даже правильно, планки оперативки - недостаточно. Включив двухканальный, лучше четырёхканальный режим, подберите оптимальные настройки частоты, соотносимые с таймингом. Помните, прежде всего, что гарантию разгона вам никто не даст, одну память получится разогнать отлично, такую же другую - неудачно. Но не бойтесь, что память может выйти из строя, когда будете разгонять: при слишком высоко задранной она всего лишь не запустится.
Что делать, если разгон оказался неудачным? Обычно материнки снабжены функцией автоотката настроек, которую используйте, когда несколько раз после разгона компьютер не запустится. сможете также вручную, для чего примените перемычку Clear CMOS (она же JBAT).
Подбирается частота экспериментально, так же ставят напряжение питания, тайминги. Разумеется, нет гарантии, что подобранное соотношение будет лучше, чем на максимальном XMP-профиле. Часто при максимальном разгоне частоты приходится повышать тайминги.
Обязательно протестируйте утилитой AIDA64 Cache & Memory Benchmark получившийся у вас результат. Разгон может привести к падению скорости, став практически бесполезным. Обычно у низкочастотных версий потенциал выше, чем у топовых.
Установить память, её разгон - процессы несложные, особенно когда RAM поддерживает XMP-профили, уже готовые. Помните, что покупать ОЗУ на компьютер практичнее комплектом, чтобы получить прирост быстродействия от двухканального режима, не только от разгона. Советуем приобретать на компьютер низкопрофильную оперативку для избегания несовместимости, когда стоит крупноразмерный процессорный кулер. Следуйте советам, тогда сможете разогнать максимально быстродействие оперативки.
Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:
- Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
- Socket FM1 (AMD Llano);
- Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
- Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
- Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).
Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.
Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.
Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8 , работающий на частоте 2400 МГц.
Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.
Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.
Характеристики
Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:
| Производитель модуля | Hynix | Samsung | Samsung | Samsung |
| Маркировка модуля | HMT351U6CFR-H9 | M378B5273CH0-CH9 | M378B5273DH0-CK0 | M378B5273DH0-CK0 |
| Маркировка микросхем | H5TQ2G83CFR-H9C | K4B2G0846C-HCH9 | K4B2G0846D-BCK0 | K4B2G0846D-HCK0 |
| Объём, Мбайт | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 |
| Тип памяти | DDR3-1333 | DDR3-1333 | DDR3-1600 | DDR3-1600 |
| Поддержка ECC | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Рейтинг | PC3-10600 | PC3-10600 | PC3-12800 | PC3-12800 |
| Частота, МГц | 1333 | 1333 | 1600 | 1600 |
| Тайминги | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 | 11-11-11-28 | 11-11-11-28 |
| Напряжение, В | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 |
| Профили EPP/XMP/BEMP | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Цена, руб.* | 630 | 700 | 860 | 860 |
Упаковка и внешний вид
Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.
Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.
Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.
Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)
Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем - 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.
На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):
Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.
В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C, выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя (218 Кбайт).
Микросхема SPD:
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd .
Модуль основан на PCB ST-104B:
По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.
Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:
Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)
Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.
Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года):
Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.
Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:
Следующие две разновидности модулей памяти Samsung незначительно дороже уже рассмотренных выше, но зато они и рассчитаны на чуть более высокую частоту 1600 МГц.
